国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。

光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。“超分辨光刻装备研制”项目绕过国外相关知识产权壁垒，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。  （新华）